Pebedaan Eprom, Eeprom, Memory Flash

Perbedaan EPROM, EEPROM, & MEMORY FLASH..

EPROM

Eprom yaitu Erasable programmable read only memory secara optic dibaca dan ditulis secara elektrik, seperti juga PROM. Bagaimana sebelum operasi tulis semua sel penyimpanan harus dihapus pada keadaan awal yang sama dengan ekspose dari keping pembungkus keradiasi. Ultra ungu, penghapusan dilakukan dengan kilauan suatu cahaya ultra ungu keras melalui suatu jendela yang dirancang kedalam keping memori. Proses penghapusan ini dapat dilakukan berulang kali : Untuk melakukannya setiap penghapusan dapat mengambil 20 menit, jadi EPROM dapat diubah berulang kali dan seperti ROM dan PROM, menjaga daranya yang hampir tidak terbatas. Untuk sejumlah penyimpanan yang dapat dipebandingkan, EPROM menjadi lebih mahal dibanding PROM, tetapi hal ini memiliki keuntungan dari kemampuan multiple ubdate.

EEPROM

EEPROM yaitu Suatu read mostly memory yang dapat ditulis paa setiap waktu tanpa menghapus muatan utamanya, hanya byte atau alamat byte saja yang di ubdate. Operasi tulis lebih lama disbanding operasi baca, menyerupai beberapa ratus mikrokdetik perbyte. EEPROM mengkobinasi keuntungan nonvolatilas dengan flexsibilitas yang dapat di ubdate pada tempatnya, pengguna saluran control bas, alamat dan data EEPROM menjadi lebih mahal di banding EPROM dan juga lebih sedikit padat mendukung lebih sedikit bit per keeping.

MEMORY FLASH

MEMORY FLASH yaitu Pertama kali diperkenalkan pad pertengahan tahun 1980an, memory flash adalah tingkat menengah antara EPROM dan EEPROM dalam harga maupun kemampuan. Seperti EEPROM, memory flash menggunakan teknologi penghapusan elektrik. Keseluruhan dari memory flash dapat dihapus dalam satu atau beberapa detik, yang lebih cepat dari EPROM. Bagaimanapun memory flash tidak menghasilkan penghapusan byte level. Seperti EPROM, memory flash menggunakanhanya satu transistor perbit, dan demikian mencapai kepadatan yang tinggi (yang dibandingkan dengan EEPROM) dari EPROM.